Учебный план и рабочие программы дисциплин/практик

Электроника и наноэлектроника. Физическое материаловедение в электронике, 11.04.04, очная форма, 2023/2025 г.

Индекс по ФГОС Наименование дисциплины
(в том числе практик)
Трудоемкость Промежуточная
аттестация
Общ.
в зач.
Общ.
в час.
Аудиторные Сам.
Лек. Лaб. Прак. Все Экз Зач Д/з К/р
К/п
Блок 1. обяз Обязательная часть 27 972 180 39 180 399 573
01. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники 3 108 17 0 17 34 74 1
02. Управление качеством 3 108 36 0 0 36 72 2
03. Методы математического моделирования 3 108 30 15 15 60 48 4
04. Компьютерные технологии в науке и образовании 3 108 12 24 0 36 72 2
05. Иностранный язык в сфере профессиональной деятельности 3 108 0 0 58 58 50 1 2
06. Основы методики передачи технологий в промышленность 3 108 24 0 12 36 72 2 2
07. Деловые коммуникации и лидерство 3 108 17 0 34 51 57 1
08. Культура и межкультурные взаимодействия в современном мире 3 108 22 0 22 44 64 3
09. Проектный менеджмент 3 108 22 0 22 44 64 3
Блок 1. форм Часть, формируемая участниками образовательных отношений 39 1404 235 189 126 550 854
01. Оптоэлектроника и волоконная оптика 3 108 22 0 22 44 64 3
02. Технологии планарного производства 3 108 34 0 0 34 74 1
03. Методы инженерного творчества 3 108 0 0 22 22 86 3
04. Физика и схемотехника интегральных схем 3 108 11 11 11 33 75 3
05. Объектно-ориентированное программирование 3 108 17 34 0 51 57 1
06. Патентоведение и методы научно-технического творчества 3 108 34 0 17 51 57 1
07. Физические методы исследования структуры твердого тела 3 108 34 17 0 51 57 1
08. Теоретическое и прикладное материаловедение 3 108 17 34 0 51 57 1
09. Функциональная электроника 4 144 15 30 0 45 99 4
10. Физические основы микроэлектромеханических систем 3 108 12 0 24 36 72 2
11. Новые методы обработки и интерпретации рентгеновских экспериментов 2 72 0 0 30 30 42 4
12.1 Аморфные и нанокристаллические материалы: сходства, различия, взаимные переходы 2 72 12 24 0 36 36 2
12.2 Кинетические явления в полупроводниках 2 72 12 24 0 36 36 2
13.1 Физика и применение аморфных полупроводников 2 72 15 15 0 30 42 4
13.2 Дополнительные главы кристаллографии 2 72 15 15 0 30 42 4
14.1 Компьютерное моделирование атомной структуры материалов 2 72 12 24 0 36 36 2
14.2 Моделирование элементов интегральных схем 2 72 12 12 0 24 48 2
Блок 2. обяз Обязательная часть 27 972 0 0 0 0 972
01. Научно-исследовательская работа 27 972 0 0 0 0 972 1 2
3 4
Блок 2. форм Часть, формируемая участниками образовательных отношений 18 648 0 0 0 0 648
01. Учебная технологическая практика 9 324 0 0 0 0 324 2
01. Производственная технологическая практика 9 324 0 0 0 0 324 3
Блок 3. обяз Обязательная часть 9 324 0 0 0 0 324
01. Подготовка к сдаче и сдача государственного экзамена 3 108 0 0 0 0 108
02. Выполнение и защита выпускной квалификационной работы 6 216 0 0 0 0 216
ФТД. ФТД Факультативы 7 252 37 0 45 82 170
01. Физика плазменно-пылевых образований 2 72 0 0 30 30 42 4
02. Плазменные источники электронов и ионов 2 72 15 0 15 30 42 4
03. Электронные процессы в неупорядоченных твердых телах 3 108 22 0 0 22 86 3